中新網(wǎng)11月7日電 臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”官員7日上午低調(diào)證實(shí)官方將于今年12月中旬，開放第2與第3座8吋晶圓廠赴大陸投資，而制程技術(shù)的門檻也將一并由目前的0.25微米，進(jìn)一步放寬為0.18微米，其中包括已到上海投資設(shè)廠的臺(tái)積電也適用新的規(guī)定。

　　據(jù)鳳凰衛(wèi)視報(bào)道，臺(tái)灣一家媒體7日指出，臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”審議將近一年的第2與第3座8吋晶圓廠赴大陸投資案，將于今年12月中旬通過(guò)，而且在晶圓制程的技術(shù)門檻，也會(huì)由目前比較低階的0.25微米放寬到比較高階的0.18微米。對(duì)此，臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”官員7日上午在“立法院”做出低調(diào)回應(yīng)。

　　“陸委會(huì)”也表示，未來(lái)也不排除更進(jìn)一步開放更高階的晶圓制程赴大陸投資，或是開放IC封測(cè)廠到大陸設(shè)廠。“陸委會(huì)”官員還指出，臺(tái)積電是在2004年5月經(jīng)官方批準(zhǔn)后，第一家將8吋晶圓廠轉(zhuǎn)赴大陸投資，而未來(lái)新的制程一旦通過(guò)包括臺(tái)積電都適用。(楊明哲)